65 нанометров - следующая цель зеленоградского завода «Ангстрем-Т», которая будет стоить 300-350 миллионов евро. Заявку на получение льготного кредита под модернизацию технологий производства предприятие уже подало во Внешэкономбанк (ВЭБ), сообщили на этой неделе «Ведомости» со ссылкой на председателя совета директоров завода Леонида Реймана. Сейчас «Ангстрем-Т» готовится запустить линию производства микросхем с топологией 90нм. Выплаты по прошлому кредиту ВЭБа, на который она приобреталась, начнутся в середине 2017 года.
Пекин обвалил Уолл-стрит
Ключевые американские индексы отметили первые дни Нового года рекордным падением, миллиардер Джордж Сорос уже предупредил о том, что мир ждет повторение кризиса 2008 года.
Первый российский потребительский процесор Baikal-T1 ценой $60 запускают в массовое производство
Компания «Байкал Электроникс» в начале 2016 года обещает запустить в промышленное производство российский процессор Baikal-T1 стоимостью около $60. Устройства будут пользоваться спросом, если этот спрос создаст государство, говорят участники рынка.
МТС и Ericsson будут вместе разрабатывать и внедрять 5G в России
ПАО "Мобильные ТелеСистемы" и компания Ericsson заключили соглашения о сотрудничестве в области разработки и внедрения технологии 5G в России. В пилотных проектах, в том числе во время ЧМ-2018, МТС намерен протестировать разработки шведского вендора. В начале следующего года оператор начнет диалог с Минкомсвязи по вопросам сформирования технических требований к пятому поколению мобильной связи.
Сергей Чемезов: Ростех уже входит в десятку крупнейших машиностроительных корпораций мира
Глава Ростеха Сергей Чемезов в интервью РБК ответил на острые вопросы: о системе «Платон», проблемах и перспективах АВТОВАЗа, интересах Госкорпорации в фармбизнесе, рассказал о международном сотрудничестве в условиях санкционного давления, импортозамещении, реорганизации, стратегии развития и новых возможностях в сложное время.
Ростех "огражданивается" и покушается на лавры Samsung и General Electric
Набсовет Ростеха утвердил "Стратегию развития до 2025 года". Основные задачи – увеличить долю высокотехнологичной гражданской продукции и догнать General Electric и Samsung по ключевым финансовым показателям.
Долгие годы компания Intel шла впереди планеты всей по темпам внедрения передовых техпроцессов для выпуска сложных микросхем (читай - процессоров). На внедрении 14-нм техпроцесса она забуксовала. Проблемы с внедрением 14-нм техпроцесса усугубились тем, что рынок ПК перестал показывать положительную динамику. Вот уже несколько лет вместо ежегодного прироста мы наблюдаем сокращение объёмов продаж. Снижение выручки автоматически ведёт к сокращению финансирования разработок и модернизации производства, что вызывает у производителя неодолимое желание эксплуатировать уже созданное и не спешить с инновациями.
Отсутствие взрослой конкуренции также не способствует движению вперёд, за что мы можем сказать "спасибо" сами знаете кому. Всё вместе взятое на данном этапе подводит нас к тому, что 14-нм техпроцесс для Intel - это рабочая лошадка на года. Ожидаемый 10-нм техпроцесс и, в частности, процессоры Cannonlake не сделают погоды на рынке. Обжёгшись на непростом внедрении 14-нм технологических норм, компания Intel будет долго "дуть на воду" - медленно и ограниченно переходить на выпуск 10-нм решений. Мы огорчались, что Intel не смогла приступить к выпуску 10-нм процессоров в середине этого года, как предписывала стратегия "тик-так" и ранние планы компании. Теперь нам, похоже, придётся привыкать к мысли, что 10-нм CPU Intel не будет в 2017 году (что уже решено) и даже в 2018.
Японские источники со ссылкой на OEM-производителей поделились новостью , согласно которой Intel ведёт разработку ещё одних 14-нм процессоров. Как известно, в четвёртом квартале нынешнего года компания выведет на рынок второе поколение 14-нм процессоров Skylake - процессоры Kaby Lake (третье 14-нм после Broadwell). Процессоры Kaby Lake заменят Skylake во всех категориях продуктов. В четвёртом квартале 2017 года ожидается выход первых 10-нм процессоров компании - решений на архитектуре Cannonlake. Но эти процессоры, если верить свежим утечкам, массовыми решениями станут не скоро. Скорее всего это произойдёт не раньше 2019 года. Потому что в 2018 году на смену Kaby Lake обещают прийти 14-нм процессоры Coffee Lake.
Впервые о процессорах Coffee Lake мы услышали в апреле этого года по информации из профиля одного из сотрудников Intel в одной из социальных сетей для поиска вакансий. Тогда возникло предположение, что это имя одного из 10-нм или даже 7-нм процессоров Intel. Сегодня с некоторой долей уверенности можно сказать, что это будут очередные "оптимизированные" 14-нм процессоры компании.
Процессоры Coffee Lake будут находиться на рынке одновременно с 10-нм процессорами Cannonlake. Последние будут выпускаться для тонких ноутбуков и планшетоподобных систем в младшей конфигурации в сериях U и Y с TDP от 15 Вт до 4,5 Вт. Всё что выше - о U до H - будут процессоры на архитектуре Coffee Lake. Это массовые и производительные системы с числом ядер от двух до шести. Встроенное графическое ядро процессоров Coffee Lake также будет классом выше, чем у Cannonlake: GT3e вместо GT2 у Cannonlake. Данная информация заставляет представить, что 14-нм техпроцесс для Intel - это надолго. Впрочем, мы повторяемся. Как и Intel...
]| Process Name | |
|---|---|
| 1st Production | |
| Lithography | Lithography |
| Immersion | |
| Exposure | |
| Wafer | Type |
| Size | |
| Transistor | Type |
| Voltage | |
| Fin | Pitch |
| Width | |
| Height | |
| Gate Length (L g) | |
| Contacted Gate Pitch (CPP) | |
| Minimum Metal Pitch (MMP) | |
| SRAM bitcell | High-Perf (HP) |
| High-Density (HD) | |
| Low-Voltage (LV) | |
| DRAM bitcell | eDRAM |
| Intel | Samsung Alliance | IBM (Now GlobalFoundries) | UMC | Common Platform Alliance | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P1272 (CPU) / P1273 (SoC) | 14LPE 1 st generation; 14 nm Low Power Early , 14LPP2 nd generation; 14 nm Low Power Performance , 14LPC3 rd generation; 14 nm Low Power Cost , 14LPU4 th generation; 14 nm Low Power Ultimate |
14HP 14nm High Performance |
14FDSOI | ||||||
| 2014 | 2015 | 2017 | 2Q 2017 | ||||||
| 193 nm | 193 nm | 193 nm | 193 nm | 193 nm | |||||
| Yes | Yes | Yes | Yes | Yes | |||||
| SADP | LELE | SADP | DP | ||||||
| Bulk | Bulk | SOI | Bulk | SOI | |||||
| 300 mm | 300 mm | 300 mm | 300 mm | 300 mm | |||||
| FinFET | FinFET | FinFET | FinFET | Planar | |||||
| 0.70 V | 0.80 V | 0.80 V | 0.80 V | ||||||
| Value | 22 nm Δ | Value | 20 nm Δ | Value | 22 nm Δ | Value | 28 nm Δ | Value | 28 nm Δ |
| 42 nm | 0.70x | 48 nm | N/A | 42 nm | N/A | N/A | |||
| 8 nm | 1.00x | 8 nm | 10 nm | ||||||
| 42 nm | 1.24x | 37 nm | 25 nm | ||||||
| 20 nm | 0.77x | 30 nm | 18-26 nm | 0.72-0.79x | 20 nm | 0.71x | |||
| 70 nm | 0.78x | 78 nm | 1.22x | 80 nm | 0.80x | 90 nm | 0.79x | ||
| 52 nm | 0.65x | 64 nm | 1.00x | 64 nm | 0.80x | 64 nm | 0.71x | ||
| 0.0706 µm² | 0.54x | 0.080 µm² | 0.78x | 0.0900 µm² | 0.63x | 0.090 µm² | 0.59x | ||
| 0.0499 µm² | 0.54x | 0.064 µm² | 0.79x | 0.0810 µm² | 0.81x | 0.081 µm² | 0.68x | ||
| 0.0588 µm² | 0.54x | ||||||||
| 0.0174 µm² | 0.67x | ||||||||
Composition [ edit ]
It"s important to note that not all processes compete with each other. The process should cater to the products that will make use of the underlying technology. The composition of the actual integrated circuit also varies by manufacturer and by design due to different goals. For example, the cache on Apple "s 14 nm (manufactured by Samsung) accounts almost 1/3 of the entire chip whereas Intel "s Broadwell cache accounts for only 10% of the entire chip. Likewise, Intel "s Broadwell and Skylake target high-performance and incorporate a large amount of higher-speed elements which are inherently sparse. Tall cells account for almost 30% Skylake"s composition and less than 1% on Apple"s or . Those numbers are somewhat expected given tall logic cells are generally optimized for performance and high frequency (e.g., high-switching circuitry in the CPU) whereas short cells are optimized for density (e.g., GPU shader arrays).
A third improved process, "14nm++", is set to begin in late 2017 and will further allow for +23-24% higher drive current for 52% less power vs the original 14nm process. The 14nm++ process also appear to have slightly relaxed poly pitch of 84 nm (from 70 nm). It"s unknown what impact, if any, this will have on the density.
| Intel 14nm Design Rules | ||
|---|---|---|
| Layer | Pitch | Scale Factor |
| Fin | 42 nm | 0.70 |
| Contacted Gate Pitch | 70 nm | 0.78 |
| Metal 0 | 56 | - |
| Metal 1 | 70 | 0.78 |
| Metal 2 | 52 | 0.65 |
IBM [ edit ]
IBM developed their own "14HP" (14nm High-Performance) process at their East Fishkill, NY plant. Note that the plant AND the process, along with numerous semiconductor technology IPs, were sold to GlobalFoundries in late 2014. GF still operates the plant (also by ex-IBM semiconductor engineers) and the process which is used by IBM for their various processors. This process was designed by IBM for their very large chips with effective power supply and clock distribution capable of producing dies as large as 700 mm² and larger with a hierarchical BEOL of 17 levels of copper interconnect for high performance wire-ability. It should be noted that GlobalFoundries had no such capabilities prior to their acquisition of IBM"s plant, semiconductor manufacturing group, and IP portfolio.
UMC [ edit ]
UMC announced the start of 14nm process mass production in February 2017. The 14nm process is their first process to use FinFET, and provides up to 55% higher performance and twice the gate density compared to their 28nm process.
Все современные вычислительные технологии базируются на основе полупроводниковой электронной техники. Для ее производства используются кристаллы кремния – одного из самых распространенных минералов в составе нашей планеты. С момента ухода в прошлое громоздких ламповых систем и с развитием транзисторных технологий этот материал занял важное место в производстве вычислительной техники.
Центральные и графические процессоры, чипы памяти, различные контроллеры – все это производится на основе кремниевых кристаллов. Уже полвека основной принцип не меняется, совершенствуются только технологии создания чипов. Они становятся более тонкими и миниатюрными, энергоэффективными и производительными. Главным параметром, который при этом усовершенствуется, является техпроцесс.
Практически все современные чипы состоят из кристаллов кремния, которые обрабатываются методом литографии, с целью формирования отдельных транзисторов. Транзистор – ключевой элемент любой интегральной микросхемы. В зависимости от состояния электрического поля, он может передавать значение, эквивалентное логической единице (пропускает ток) или нулю (выступает изолятором). В чипах памяти с помощью комбинаций нулей и единиц (положений транзистора) записываются данные, а в процессорах – при переключении производятся вычисления.
В 14-нм технологии (по сравнению с 22-нм) сокращено количество барьеров, увеличена их высота, уменьшено расстояние между диэлектрическими ребрами
Технологический процесс – это процедура и порядок изготовления какой-либо продукции. В электронной промышленности, в общепринятом значении, это величина, которая указывает на разрешающую способность оборудования, применяемого при производстве чипов. От нее также напрямую зависит размер функциональных элементов, получаемых после обработки кремния (то есть, транзисторов). Чем чувствительнее и точнее оборудование используется для обработки кристаллов под заготовки процессоров – тем тоньше будет техпроцесс.
Что значит числовая величина техпроцесса
В современном полупроводниковом производстве наиболее распространена фотолитография – вытравливание элементов на кристалле, покрытом диэлектрической пленкой, с помощью воздействия света. Именно разрешающая способность оптического оборудования, излучающего свет для вытравливания, и является техпроцессом в общепринятом толковании этого слова. Это число указывает, насколько тонким может быть элемент на кристалле.
На что влияет техпроцесс
Техпроцесс напрямую сказывается на количестве активных элементов полупроводниковой микросхемы. Чем тоньше техпроцесс – тем больше транзисторов поместится на определенной площади кристалла. В первую очередь это значит увеличение количества продукции из одной заготовки. Во вторую – снижение потребления энергии: чем тоньше транзистор – тем меньше он расходует энергии. Как итог, при равном количестве и структуре размещения транзисторов (а значит, и увеличения производительности) процессор будет меньше расходовать энергию.
Минусом перехода на тонкий техпроцесс является удорожание оборудования. Новые промышленные агрегаты позволяют делать процессоры лучше и дешевле, но сами набирают в цене. Как следствие, лишь крупные корпорации могут вкладывать миллиарды долларов в новое оборудование. Даже такие известные компании, как AMD, Nvidia, Mediatek, Qualcomm или Apple самостоятельно процессоров не делают, доверяя это задание гигантам вроде TSMC.
Что дает уменьшение техпроцесса
При уменьшении технологического процесса производитель получает возможность поднять быстродействие, сохранив прежние размеры чипа. К примеру, переход с 32 нм на 22 нм позволил вдвое увеличить плотность транзисторов. Как следствие, на том же кристалле, что раньше, стало возможным размещение не 4, а уже 8 ядер процессора.
Для пользователей главное преимущество заключается в снижении энергопотребления. Чипы на более тонком техпроцессе требуют меньше энергии, выделяют меньше тепла. Благодаря этому можно упростить систему питания, уменьшить кулер, меньше внимания уделить обдуву компонентов.
Техпроцесс процессоров на смартфонах
Смартфоны требовательны к аппаратным ресурсам и быстро расходуют заряд аккумулятора. Поэтому, для замедления расхода разряда, разработчики процессоров для мобильных устройств стараются внедрять в производство самые новые техпроцессы. К примеру, некогда популярные двухъядерники MediaTek MT6577 производились по техпроцессу 40 нм, а Qualcomm Snapdragon 200 ранних серий изготавливались по 45-нанометровой технологии.
В 2013-2015 годах основным техпроцессом для чипов, используемых в смартфонах, стал 28 нм. MediaTek (вплоть до Helio X10 включительно), Qualcomm Snapdragon серий S4, 400, а также модели 600, 602, 610, 615, 616 и 617 – это все 28 нм. Он же использовался и при изготовлении Snapdragon 650, 652, 800, 801, 805. «Горячий» Snapdragon 810, что интересно, был выполнен по более тонкому техпроцессу 20 нм, но это ему не сильно помогло.
Apple в своем A7 (iPhone 5S) тоже обходилась 20-нанометровой технологией. В Apple A8 для шестого Айфона применили 20 нм, а в модели A9 (для 6s и SE) уже используется новый 16 нм технологический процесс. В 2013-2014 годах Intel делали свои Atom Z3xxx по 22-нанометровой технологии. С 2015 года в производство запустили чипы с 14 нм.
Следующим шагом в развитии процессоров для смартфонов является повсеместное освоение техпроцессов 14 и 16 нм, а дальше стоит ожидать 10 нм. Первыми экземплярами на нем могут стать Qualcomm Snapdragon 825, 828 и 830.
Очередная утекшая дорожная карта процессоров Intel намекает на то, что компания не сможет начать производство 10 нм CPU как минимум до конца 2020 года.
Согласно этой дорожной карте компания планирует до 2020 года выпустить два модельных ряда настольных процессоров. Это будут процессоры Core серий S и X.
Высокопроизводительные модели Cascade Lake X будут предлагать до 18 вычислительных ядер. Сейчас уже есть аналогичный процессор - Core i9-9980XE, но ожидается, что новое поколение получит некоторые улучшения.
Обычная же серия S будет представлена Comet Lake S. Она появится в конце этого и начале следующего года. Эти процессоры получат до 10 ядер, что будет полезно создателям контента и геймерам.
Несмотря на рост числа ядер, а значит и производительности, новые процессоры не смогут обеспечить большую энергоэффективность, поскольку будут по-прежнему производиться по 14 нм технологии. По всей видимости, настольные чипы, изготовленные по 10 нм можно ожидать от Intel лишь 2021 году. Тем временем AMD уже летом выпустит 7 нм процессоры.
Память MRAM готова к производству
2 мартаКомпания Intel готова начать выпуск памяти типа MRAM в больших объёмах. Этот тип памяти разработан Intel и представляет собой энергонезависимую память, то есть её можно использовать для хранения данных, а не только в качестве ОЗУ.
Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% - поразительная надёжность технологии.
Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND . Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 10 6 циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.
Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.
Intel готовит Comet Lake-S по 14 нм процессу
28 ноября 2018 годаВ Сети появились слухи о продолжении эксплуатации 14 нм техпроцесса со стороны Intel и новой процессорной архитектуре Comet Lake-S.
Компания Intel изо всех сил противостоит AMD с её многоядерными процессорами, третье поколение которых уже изготавливается по 7 нм технологии.
Однако у Intel по-прежнему нет 10 нм технологии, и она вынуждена выжимать все соки из существующего оборудования. Новая архитектура Comet Lake-S будет производиться по 14 нм++ технологии. Флагманский чип получит формулу 10C/20T. Учитывая эту формулу, частоты должны быть снижены, по сравнению с 8-ядерным i9-9900K, который прекрасно работает выше 5 ГГц, правда, и потребляет массу электроэнергии.
Насколько успешно Comet Lake-S сможет противостоять Zen 2 - покажет время.
AMD Radeon RX 590 появился в базе данных 3DMark
17 октября 2018 годаПоследнее время в Сети ходят слухи о том, что AMD вот-вот выпустит новые видеокарты Polaris 30. Некоторые говорят о 600-й серии ускорителей, но теперь, когда в 3DMark появилась карта Radeon RX 590, многие заговорили о том, что это и есть Polaris 30.
В базе данных популярного бенчмарка 3DMark появилась видеокарта Radeon RX 590. Её GPU ничем не отличается от Polaris 20, выполненного по 14 нм нормам. Единственным отличием является 12 нм технологический процесс. Переход на более тонкие элементы позволяет AMD создать некоторые тепловой резерв, разогнав процессор. GPU в Radeon RX 590 работает на тактовой частоте 1545 МГц, что на 205 МГц выше, чем частота Boost в Radeon RX 580.
Когда же Radeon RX 590 появится в продаже по-прежнему неизвестно, но очевидно, что AMD просто необходимо хоть чем-то ответить на релизы NVIDIA.
Intel вынуждена вернуться к 22 нм процессу
13 октября 2018 годаПытаясь выполнить все заказы на 14 нм производство компания Intel вынуждена идти на компромиссы. Учитывая, что 10 нм процесс далёк от готовности, у компании просто нет альтернативы, кроме перевода некоторой продукции на устаревшие технологии.
К таким продуктам относятся чипсеты H310, которые теперь станут больше. Данное решение вполне объяснимо. Дело в том, что H310 - это самые простые микросхемы системной логики, предназначенные для работы с процессорами Core 8-го и 9-го поколений. Материнские платы, построенные на этих чипсетах, используются в офисных машинах и простых потребительских машинах, которым вполне достаточно его скромных возможностей. Учитывая невысокие требования к чипу, Intel приняла решение выпускать их по 22 нм технологии.
По данным китайских источников, новый чипсет называется H310C. Его габариты составляют 10х7 мм, в то время как обычная 14 нм микросхема H310 имеет размеры 8,5х6,5 мм. Тепловыделение оригинального чипа составляло 6 Вт, и в связи со сменой технологии производства, его увеличение не ожидается. Также не ожидается, что изменение микросхемы повлияет на конструкцию материнских плат.
Intel расширяет 14 нм производство
4 октября 2018 годаСтолкнувшись с нехваткой производственных мощностей, вызванной провалом запуска 10 нм производства, компания Intel всё-таки решила расширить своё производство, подвергаясь давлению со стороны AMD.
Учитывая, что новые флагманские процессоры компании Core i9-9900K, Core i7-9700K и Core i5-9600K, будут выпущены 8 октября, Intel не увидела других путей, как открыть ещё одну производственную площадку во Вьетнаме.
В пресс-релизе компании говорится: «Для того, чтобы гарантировать постоянные поставки процессоров… Intel добавит дополнительные производственные территории для опытных/завершённых товаров. Новая зона расположена во Вьетнаме. Новая производственная зона стала сертифицированным эквивалентом (по форме, размерам, функциям и надёжности) продуктам и технологиям компании» .
11 сентября 2018 годаНа фоне трудностей с объёмами производства микросхем по 14 нм процессу, компания Intel решила искать сторонних производителей.
Информационный ресурс Digitimes сообщает, что Intel решила сохранить производство своих высокоприбыльных процессоров, в основных серверных, и чипсетов для них. Другие же, недорогие продукты, вроде чипсетов начального уровня H310 и прочие настольные чипы 300-й серии, будут переданы на аутсорс в TSMC.
Компания Intel определила, что объёмы недопоставок сейчас составляют 50%, а потому, единственным выходом из сложившейся ситуации станет производство на стороне, поскольку компания не хочет увеличивать собственные мощности.
Сейчас TSMC уже является контрактным производителем для Intel, изготавливая для неё серию систем-на-чипе SoFIA и некоторые FPGA продукты, а также микросхемы связи для iPhone.
Производители материнских плат считают, что дефицит 14 нм чипсетов от Intel снизится к концу 2018 года.
GlobalFoundries прекращает работу на 7 нм
8 сентября 2018 годаПроизводитель микропроцессоров GlobalFoundries сделал важное заявление об изменении стратегии компании.
Контрактный производитель микросхем объявил о сворачивании работы над процессом 7LP (7 нм). Вместо этого он сфокусируется на 14LPP/12LP платформе, и будет изготавливать радиочастотные устройства, встраиваемую память и прочие устройства с низким энергопотреблением. На фоне закрытия 7 нм разработки GloFo сократит 5% персонала, а также разорвёт лицензионные соглашения с AMD и IBM.
Технический директор GlobalFoundries Гэри Пэттон сообщал, что первые 7 нм чипы будут доступны клиентам уже в IV квартале этого года, однако «несколько недель назад» компания решила сделать резкий стратегический разворот.
Он отметил, что решение основано не на технических трудностях, с которыми столкнулась компания, а на изучении возможностей для бизнеса, которые открывались для платформы 7LP, а также из финансовых соображений.
На фоне данного анонса AMD сообщила, что переводит все свои 7 нм процессоры, CPU и GPU , в производство на TSMC.
Intel не выпустит 10 нм процессоров до зимних праздников 2019 года
30 июля 2018 годаДавайте представим 2019 год. У компании AMD вовсю продаются 7 нм процессоры, в то время как Intel по-прежнему предлагает только 14 нм решения. Примерно настолько печально выглядят перспективы Intel по 10 нм технологии.
В сессии вопросов и ответов по результатам финансовой деятельности за II квартал 2018 года, Intel заявила, что первый продукт на базе 10 нм процесса появится только к зимним праздникам 2019 года. Это значит, что 14 нм процесс сохранится у Intel не только до конца 2018 года, но и почти на весь 2019 год.
В клиентском сегменте Intel готовится выпустить 9-е поколение процессоров Core под названием Whiskey Lake. Это будет 5-е поколение процессоров, изготавливаемых по 14 нм процессу. Первыми четырьмя были Broadwell, Skylake, Kaby Lake и Coffee Lake.
Скорее всего, вместе с Whiskey Lake Intel перейдёт и в 2019 год, конкурируя с 12 нм Pinnacle Ridge от AMD, и увеличивая число ядер. Также Intel проигрывает и в HEDT сегменте, выпуская 20-и и 22-ядерные процессоры с LGA2066, а также подготавливая 28-ядерный чип. К концу 2019 года AMD готовится выпустить 3-е поколение процессоров EPYC, уже по 7 нм технологии. Процессоры Ryzen будут выпускаться по 10 нм нормам.
На картинке вы можете увидеть слайд Intel, датированный 2013 годом. На нём показаны планы Intel по выпуску 10 нм технологии в 2015 году. Это изображение отлично демонстрирует, как планы могут расходиться с реальностью.
Intel отказалась перенести Ice Lake на 14 нм техпроцесс
21 мая 2018 годаО том, что 10 нм процесс Intel никак не может наладить, сейчас известно всем. Однако руководству о трудностях было известно давно. Бывший инженер компании Франсуа Пидноёль сообщил, что у фирмы был шанс перенести архитектуру Ice Lake на 14 нм++ процесс. Пидноёль предлагал такой шаг два года назад, однако руководство его отвергло. Отсутствие этого запасного плана привело к заметному снижению в развитии процессоров, поскольку трудности в производственном подразделении задерживают всю эволюцию Intel.
У руководства была возможность обеспечить дизайн Ice Lake (в твите это ICL) на 14 нм технологической базе, но они решили, что это не нужно. Возможно, они поступили так из-за уверенности, что двух лет достаточно для наладки 10 нм технологии производства. Менеджмент сделал неверную ставку, и теперь портфель продуктов Intel из-за этого пострадал.